Abstract
The high luminosity upgrade of the Large Hadron Collider, foreseen for 2026, necessitates the replacement of the CMS experiment’s silicon tracker. The innermost layer of the new pixel detector will be exposed to severe radiation, corresponding to a 1 MeV neutron equivalent fluence of up to Φ e q= 2 × 10 16 cm- 2, and an ionising dose of ≈ 5 MGy after an integrated luminosity of 3000 fb- 1. Thin, planar silicon sensors are good candidates for this application, since the degradation of the signal produced by traversing particles is less severe than for thicker devices. In this paper, the results obtained from the characterisation of 100 and 200 μ m thick p-bulk pad diodes and strip sensors irradiated up to fluences of Φ e q= 1.3 × 10 16 cm- 2 are shown.
| Original language | English |
|---|---|
| Article number | 567 |
| Journal | European Physical Journal C |
| Volume | 77 |
| Issue number | 8 |
| DOIs | |
| State | Published - Aug 1 2017 |
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Dive into the research topics of 'Characterisation of irradiated thin silicon sensors for the CMS phase II pixel upgrade'. Together they form a unique fingerprint.Cite this
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In: European Physical Journal C, Vol. 77, No. 8, 567, 01.08.2017.
Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
TY - JOUR
T1 - Characterisation of irradiated thin silicon sensors for the CMS phase II pixel upgrade
AU - Adam, W.
AU - Bergauer, T.
AU - Brondolin, E.
AU - Dragicevic, M.
AU - Friedl, M.
AU - Frühwirth, R.
AU - Hoch, M.
AU - Hrubec, J.
AU - König, A.
AU - Steininger, H.
AU - Waltenberger, W.
AU - Alderweireldt, S.
AU - Beaumont, W.
AU - Janssen, X.
AU - Lauwers, J.
AU - Van Mechelen, P.
AU - Van Remortel, N.
AU - Van Spilbeeck, A.
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AU - Fasanella, G.
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AU - Goldouzian, R.
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AU - Léonard, A.
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AU - Vannerom, D.
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AU - Zeid, S. Abu
AU - Blekman, F.
AU - De Bruyn, I.
AU - De Clercq, J.
AU - D’Hondt, J.
AU - Deroover, K.
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AU - Python, Q.
AU - Skovpen, K.
AU - Van Mulders, P.
AU - Van Parijs, I.
AU - Bakhshiansohi, H.
AU - Bondu, O.
AU - Brochet, S.
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AU - Caudron, A.
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AU - Delcourt, M.
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AU - Magitteri, A.
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AU - Szilasi, N.
AU - Marono, M. Vidal
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AU - Lampén, T.
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AU - Tuovinen, E.
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AU - Kaplon, J.
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AU - Mannelli, M.
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AU - Marconi, S.
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AU - Pavis, S.
AU - Peisert, A.
AU - Pernot, J. F.
AU - Petagna, P.
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AU - Tsirou, A.
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AU - Vichoudis, P.
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AU - Masciovecchio, M.
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AU - Perozzi, L.
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AU - Bösiger, K.
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AU - Chiochia, V.
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AU - Kotlinski, D.
AU - Langenegger, U.
AU - Meier, B.
AU - Rohe, T.
AU - Streuli, S.
AU - Chen, P. H.
AU - Dietz, C.
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AU - Hou, W. S.
AU - Lu, R. S.
AU - Moya, M.
AU - Cussans, D.
AU - Flacher, H.
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AU - Cole, J.
AU - Hoad, C.
AU - Hobson, P.
AU - Morton, A.
AU - Reid, I. D.
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AU - Bainbridge, R.
AU - Dauncey, P.
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AU - Tomalin, I. R.
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AU - Uplegger, L.
AU - Voirin, E.
AU - Berry, D. R.
AU - Chen, X.
AU - Ennesser, L.
AU - Evdokimov, A.
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AU - Gerber, C. E.
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AU - Tao, Z.
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AU - Akgün, B.
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AU - Betchart, B.
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AU - Hindrichs, O.
AU - Petrillo, G.
AU - Eusebi, R.
AU - Osipenkov, I.
AU - Perloff, A.
AU - Ulmer, K. A.
AU - Delannoy, A. G.
AU - D’Angelo, P.
AU - Johns, W.
N1 - Publisher Copyright: © 2017, The Author(s).
PY - 2017/8/1
Y1 - 2017/8/1
N2 - The high luminosity upgrade of the Large Hadron Collider, foreseen for 2026, necessitates the replacement of the CMS experiment’s silicon tracker. The innermost layer of the new pixel detector will be exposed to severe radiation, corresponding to a 1 MeV neutron equivalent fluence of up to Φ e q= 2 × 10 16 cm- 2, and an ionising dose of ≈ 5 MGy after an integrated luminosity of 3000 fb- 1. Thin, planar silicon sensors are good candidates for this application, since the degradation of the signal produced by traversing particles is less severe than for thicker devices. In this paper, the results obtained from the characterisation of 100 and 200 μ m thick p-bulk pad diodes and strip sensors irradiated up to fluences of Φ e q= 1.3 × 10 16 cm- 2 are shown.
AB - The high luminosity upgrade of the Large Hadron Collider, foreseen for 2026, necessitates the replacement of the CMS experiment’s silicon tracker. The innermost layer of the new pixel detector will be exposed to severe radiation, corresponding to a 1 MeV neutron equivalent fluence of up to Φ e q= 2 × 10 16 cm- 2, and an ionising dose of ≈ 5 MGy after an integrated luminosity of 3000 fb- 1. Thin, planar silicon sensors are good candidates for this application, since the degradation of the signal produced by traversing particles is less severe than for thicker devices. In this paper, the results obtained from the characterisation of 100 and 200 μ m thick p-bulk pad diodes and strip sensors irradiated up to fluences of Φ e q= 1.3 × 10 16 cm- 2 are shown.
UR - https://www.scopus.com/pages/publications/85028362162
U2 - 10.1140/epjc/s10052-017-5115-z
DO - 10.1140/epjc/s10052-017-5115-z
M3 - Article
AN - SCOPUS:85028362162
SN - 1434-6044
VL - 77
JO - European Physical Journal C
JF - European Physical Journal C
IS - 8
M1 - 567
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